SFF4N60
FF4N6
4N60
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
民
-
±30
-
-
600
2
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
最大
±100
-
10
100
单位
nA
V
µA
µA
V
V
Ω
漏切离型电流
I
DSS
V
DS
=480V,Tc=125℃
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 µA
V
GS
=10V,I
D
=3.25A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=300V,
I
D
=4.4A
，
R
G
=25Ω，
(Note4,5)
V
DD
=480V,
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
Qg
-
-
1.8
545
7
70
10
35
45
20
16
3.4
7
-
4
2.2
670
10
90
30
80
pF
ns
100
50
20
nC
-
-
-
-
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
I
D
=4.4A
(Note4,5)
-
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25
℃
)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=4.4A,V
GS
=0V
I
DR
=4.4A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
390
2.2
最大
4
17.6
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
µC
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 18.5mH我
AS
=4.4A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤4A,di/dt≤200A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
