SFF5N60
硅N沟道MOSFET
特点
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4.5A ， 600V ，R
DS （ ON）
(Max2.2Ω)@V
GS
=10V
超低栅极电荷（典型的16 NC）
快速开关能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， VDMOS技术。这项最新技术有
经过特别设计，以最大限度地减少通态电阻，有
高坚固的雪崩characteristics.This设备是专
非常适合用于半桥和全桥谐振拓扑线
一个电子镇流器，高效率开关模式电源
用品，有源功率因数校正
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
降额因子above25 ℃
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
0.26
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
（注1）
(Note3)
(Note1)
3.0*
20
±30
300
12
4.5
33
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
600
4.5*
单位
V
A
*漏电流受结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
3.79
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
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WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
