SFF730
730
硅N沟道MOSFET
CHA
OSF
特点
■ 5.5A ， 400V ，R
DS （ ON）
（ 1.0Ω最大） @V
=10V
■超低栅极电荷（典型值32nC ）
•快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 150 ℃ ）
概述
钍是宝疫情周报MOS F等是公关OD UC版USI吴无线ñ本身英里的广告VA ñ CE ð
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
鲁格编AVA兰CH é茶racteristics 。该设备是SPE cially好
适用于高效率开关模式电源，功率因数
校正和半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
(Note1)
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
400
5.5*
2.9*
22*
±30
330
7.4
4
38
0.3
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
通道
温度
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
3.3
62
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的2010年12月
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
