SFF740
740
硅N沟道MOSFET
CHA
OSF
特点
■
10A,400V,R
DS ( ON)
(最大值0.55Ω ) @V
=10V
■
超低栅极电荷(典型值60nC )
■
快速开关能力
■
100%的雪崩测试
■
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi的advancedplanar生产
条纹, VDMOS技术。这项最新技术具有beenespecially
为了尽量减少对通态电阻,有一个highrugged
雪崩特性。该设备是专门wellsuited高
高效开关模式电源,功率因数校正和
半桥和全桥谐振拓扑结构线的电子灯
镇流器。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
0.35
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
6.3*
40*
±30
450
13
4
44
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
400
10*
单位
V
A
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热阻,结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.86
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Jun.2011