SFU1N60N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SFU1N60N
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 404 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

SFU1N60N

硅N沟道MOSFET

特点

■ 1A ， 600V ，R

DS （ ON）

（最大15.0Ω ） @V

=10V

■超低栅极电荷（典型6.1nC ）

•快速开关能力

■ 100 ％雪崩测试

■最大结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善

适用于高效率开关模式电源。电子

基于半桥和UPS灯镇流器。

TO251

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

英镑

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

减额在25℃以上因素

结温和存储温度

最大的铅焊接温度的目的

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

(Note1)

参数

价值

600

1.0

0.62

4.0

±30

3.1

4.5

0.24

-55~150

300

单位

V / ns的

W/℃

℃

热特性

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

民

0.5

价值

典型值

最大

4.16

105

单位

℃/W

版本C 2008年11月

P01-3

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案