WBN13003B2D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WBN13003B2D
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内容描述：	高压快 - 切换NPN功率晶体管 [High Voltage Fast -Switching NPN Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管高压
文件页数/大小：	5 页 / 298 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WBN13003B2D

13003B2D

电气特性

(Tc=25℃

符号

CEO （ SUS ）

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

CBO

首席执行官

EBO

的hFE

吨

除非另有说明）

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

集电极 - 基截止电流

集电极电流-EmitterCutoff

辐射源-Base截止电流

直流电流增益

测试条件

Ic=10mA,Ib=0

Ic=0.2A,Ib=40mA

VCB = 600V IE = 0

VCE = 400V IB = 0

VEB = 7V IC = 0

Vce=10V,Ic=10mA

VCE = 10V IC = 50毫安

价值

民

400

典型值

0.2

最大

0.3

1.2

0.1

0.25

0.1

1.0

4.0

0.4

1.8

单位

频率特性

打开-on时间

贮存时间

下降时间

二极管的正向电压

F=1MHz

VCC = 5V ， IC = 0.25A

兆赫

1.5

0.15

µs

=0.6A

注意：

脉冲测试：脉冲宽度300 ，占空比2 ％

2/5

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