WCD4C60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WCD4C60
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内容描述：	可控硅整流器器 [Silicon Controlled Rectifiers]
分类和应用：	可控硅整流器
文件页数/大小：	5 页 / 454 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WCD4C60

可控硅整流器器

特点

重复峰值断态电压： 600V

R.M.S通态电流（I

T（ RMS ）

= 4 A )

低导通电压（ 1.6V （典型值） @我

)

绝缘电压（V

ISO

= 1500V AC）

概述

标准门触发SCR是完全隔离的封装，适合

其中，要求高的双向阻断电压的应用

能力，也适合于过电压保护器，电机控制

电路中的电动工具，浪涌电流限制电路和加热控制

系统。

绝对最大额定值

(

= 25 ° C除非另有规定编）

符号

DRM

T（ AV ）

参数

重复峰值断态电压

平均通态电流（ 180 °

导通角）

R.M.S通态电流（ 180 °导

条件

=60 °C

环境温度Tamb = 25°C

=60 °C

环境温度Tamb = 25°C

1/2周期， 60Hz的正弦

评级

600

1.35

单位

0.9

1.35

A/㎲

°C

T（ RMS ）

角）

TSM

的di / dt

G（ AV ）

FGM

ISO

英镑

浪涌通态电流

WaveNon重复性

吨融合

通态电流临界上升率

正向峰值门功耗

正向平均门功耗

正向栅极峰值电流

绝缘击穿电压（ R.M..S ）

工作结温

储存温度

A,C.1minute

TJ = 125°C

T = 10ms的

F = 60Hz的， TJ = 125°C

4.5

0.5

0.2

1.2

1500

-40~125 °C

-40~150 °C

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻结到外壳（ DC ）

热阻结到环境（ DC ）

价值

100

单位

℃/W

Rev.A的2010年10月

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