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型号: WCD6C60
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内容描述: 可控硅整流器器 [Silicon Controlled Rectifiers]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 5 页 / 405 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WCD6C60
可控硅整流器器
特点
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重复峰值断态电压: 600V
R.M.S通态电流(I
T( RMS
)= 6 A )
低导通电压( 1.4V (典型值) @我
TM
)
绝缘电压(V
ISO
= 1500V AC)
概述
标准门触发SCR是完全隔离的封装,适合
其中,要求高的双向阻断电压的应用
能力,也适合于过电压保护器,电机控制
电路中的电动工具,浪涌电流限制电路和加热控制
系统。
绝对最大额定值
(
T
= 25 ° C除非另有规定编)
J
符号
V
DRM
I
T( AV )
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流( 180 °
条件
评级
600
单位
V
A
TC = 110℃
导通角)
R.M.S通态电流( 180 °
3.8
I
T( RMS )
导通角)
TC = 110℃
1/2周期, 60Hz的正弦
6
A
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
G( AV )
浪涌通态电流
WaveNon重复性
I
2
吨融合
通态电流临界上升率
正向峰值门功耗
正向平均栅极电源
TJ = 125°C
耗散
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
绝缘击穿电压( R.M..S )
工作结温
储存温度
A,C.1minute
T = 10ms的
F = 60Hz的, TJ = 125°C
66
21
50
5
0.5
2
5.0
1500
-40~125 °C
-40~150 °C
A
A
2
s
A/㎲
W
W
A
V
V
°C
°C
I
FGM
V
RGM
V
ISO
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻结到外壳( DC )
热阻结到环境( DC )
价值
3.12
89
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的2010年10月