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型号: WCP8C60
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内容描述: 可控硅整流器器 [Silicon Controlled Rectifiers]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 5 页 / 520 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WCP8C60
可控硅整流器器
特点
�½
�½
�½
�½
重复峰值断态电压: 600V
R.M.S通态电流( IT
( RMS)
=8A)
低通态电压( 1.4 (典型值) @我
TM
)
绝缘电压(V
ISO
= 1500V AC)
概述
标准门触发SCR是完全隔离的封装,适合的
应用中需要高双向阻断电压
能力,也适合于过电压保护器,电机控制
电路中的电动工具,浪涌电流限制电路和加热控制
系统。
绝对最大额定值
(
T
= 25 ° C除非另有规定编)
J
符号
V
DRM
/V
RRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
的di / dt
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流( 180 °导通角)
R.M.S通态电流( 180 °导通角)
不重复浪涌峰值通态电流
tp=10ms
I
2
吨Valuefor融合
通态电流临界上升率
T
J
=125 °C
I
TM
= 2A, IG = 10毫安;的dI
G
/dt=100A/µs
平均门功耗
栅极峰值电流
反向峰值电压门
绝缘击穿电压( R.M..S )
结温
储存温度
T
J
=125 °C
T
J
=125 °C
T
J
=125 °C
A,C.1minute
tp=8.3ms
(Note(1)
T
I
=85 °C
T
I
=85 °C
tp=8.3ms
价值
600
5
8
73
单位
V
A
A
A
70
24.5
50
1
4
5
1500
-40~125
-40~150
A
2
s
A/㎲
W
A
V
V
°C
°C
P
G( AV )
I
FGM
V
RGM
V
ISO
T
J
T
英镑
注1 :
注1 :虽然
不推荐,断态电压高达800V ,可以不破坏应用,但可能晶闸管
切换到电流应不exceed15A /微秒的上升上stage.The率。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻结到外壳
热阻结到环境
价值
-
-
典型值
-
-
最大
20
70
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的2010年10月
版权所有@ WinSemi半导体有限公司,保留所有权利。