WFD2N60B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFD2N60B
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 553 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFD2N60B

WFD 2N60B

硅N沟道MOSFET

特点

�½

2A,600V,R

DS （ ON）

（最大5.0Ω ） @V

=10V

超低栅极电荷（典型9NC ）

快速开关能力

100％的雪崩测试

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产

条纹， VDMOS技术。这项最新的技术已经特别

为了尽量减少对通态电阻，具有较高的坚固雪崩

的特点。该设备特别适用以及高效率

开关模式电源。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

通道温度

0.35

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

1.3

±30

140

6.4

5.5

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

600

2.0

单位

热特性

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结-to -Case

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到 - 环境

价值

民

0.5

典型值

最大

2.7

62.5

单位

℃/W

Rev.A的Nov.2010

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