WFD5N50
5N50
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
QGS
QGD
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
ΔBV
DSS
/
-Tj
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
测试条件
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ，V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0 V
I
D
=250μA,
25℃
V
DS
= 10 V，I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.25A
V
DS
= 40 V，I
D
= 2.25A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=250 V,
I
D
=4.5A
R
G
=25Ω
(Note4,5)
V
DD
= 400 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
=5 A
(Note4,5)
引用
to
民
-
±30
-
500
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
0.55
-
1.16
4.2
800
16
76
15
40
85
45
32
3.7
15
最大
±100
-
1
-
-
4.5
1.6
-
1050
21
100
40
90
180
100
44
单位
nA
V
μA
V
V/℃
V
Ω
S
pF
ns
-
-
-
nC
-
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
-
-
I
DR
= 5A ，V
GS
= 0 V
I
DR
= 5A ，V
GS
= 0 V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
305
2.6
最大
5
18
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=24mH,I
AS
=5A,V
DD
=50V,R
G
=25Ω,StartingT
J
=25℃
3.I
SD
≤5A ，二/ dt≤300A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
.
稳定，让你提前
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
