WFD830B
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=500V,V
GS
=0V
民
-
±30
-
TYPE
-
-
-
最大
±100
-
1
10
单位
nA
V
µA
µA
V
V/℃
V
Ω
S
漏切离型电流
I
DSS
V
DS
=400V,TC=125℃
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
V
（ BR ） DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
I
D
=250µA,Referenced
500
-
-
0.5
-
1.43
5.2
480
15
80
46
12
48
50
18
2.2
9.7
-
-
4.5
1.6
-
625
20
105
100
35
至25 ℃
V
DS
=V
GS
,I
D
=250 µA
V
GS
=10V,I
D
=2.5A
V
DS
=40V,I
D
=2.5A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=250V,
I
D
=5A
R
G
=25Ω
(Note4,5)
V
DD
=400V,
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
=10V,
nC
I
D
=5A
(Note4,5)
-
-
pF
ns
105
110
24
-
-
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=5A,V
GS
=0V
I
DR
=5A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
263
1.9
最大
5
20
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
µC
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 21.5mH我
AS
=5A,V
DD
=50V,R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤5A,di/dt≤200A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
