WFF12N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFF12N60
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 459 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFF12N60

WFF12N6

N60

硅N沟道MOSFET

硅片N-CH

MOSF

特点

■

12A ， 600V ，R

DS （ ON）

（最大值0.65Ω ） @V

=10V

■

超低栅极电荷（典型值39nC ）

■

快速开关能力

■

100％的雪崩测试

■

绝缘电压（V

ISO

= 4000V AC）

■

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

DESCR

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产

条纹， VDMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善

适用于高效率开关模式电源，功率因数

校正和半桥和全桥谐振拓扑线

电子镇流器。

TO220F

绝对最大额定值

ABSO

MAXI

ratin

符号

DSS

dv / dt的

英镑

漏源电压

连续漏电流（ @ TC = 25

℃

)

连续漏电流（ @ T = 100

℃

)

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25

℃

)

降额超过25因素

℃

结温和存储温度

最大的铅焊接温度的目的

(Note1)

（注

（注3）

参数

价值

600

12*

7.6*

48*

±30

880

4.5

0.41

-55~150

300

单位

V / ns的

℃

*漏电流受最高结温

热特性

该

CHARACT eristi

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，案件水槽

热阻，结到环境

价值

民

典型值

0.5

最大

2.45

62.5

单位

℃/W

版本C 2008年11月

T03-1

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