WFF630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFF630
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 688 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFF630

630

硅N沟道MOSFET

ilico

NNE

FET

特点

• 9A ， 200V ，R

DS （ ON）

（最大0.4Ω ） @V

=10V

■超低栅极电荷（典型值22nC ）

•快速开关能力

■ 100 ％雪崩测试

■最大结温范围（ 150 ℃ ）

概述

得离谱ption

RIPT

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， DMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善

适用于低电压应用，例如汽车，高

效率切换为DC / DC变换器和DC电机控制。

绝对最大额定值

AXI

符号

DSS

漏源电压

参数

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

价值

200

单位

5.7

(Note1)

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

160

7.2

5.5

0.35

-55~150

300

V / ns的

W/℃

℃

dv / dt的

英镑

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

减额在25℃以上因素

结温和存储温度

最大的铅焊接温度的目的

热特性

RMAL

法里斯

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，案件水槽

热阻，结到环境

民

价值

典型值

0.5

最大

3.12

62.5

单位

℃/W

REV ，A Jun.2010

T01-3

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