WFF8N60
硅N沟道MOSFET
特点
�½
�½
�½
�½
�½
�½
7.5A,600V,R
DS ( ON)
(Max1.2Ω)@V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型值28nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
绝缘电压(V
ISO
= 4000V AC)
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形, VDMOS technology.this最新的技术已经
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。这器件是特别完善
适用于半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器,高效率开关模式电源
用品,有源功率因数校正。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
0.38
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
4.3*
30
±30
240
15
4.5
48
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
600
7.5*
单位
V
A
*漏电流受结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热阻,结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.6
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司,保留所有权利。