WFP2N60B
FP2N60B
硅N沟道MOSFET
特点
■ 2A , 600V ,R
DS ( ON)
(最大4.7Ω ) @V
GS
=10V
■超低栅极电荷(典型9.0nC )
•快速开关能力
■ 100 %雪崩测试
■最大结温范围( 150 ℃ )
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产
条纹, VDMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源。
G
D
S
TO220
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
0.43
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(注2 )
(注1 )
(注3)
(Note1)
1.3
8
±30
140
6.4
5.5
54
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
600
2.0
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到环境
民
-
0.5
-
价值
典型值
-
-
-
最大
2.3
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev. D的Nov.2009
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T02-2