WFP3205
硅N沟道MOSFET
特点
■
110A ， 50V ，R
DS （ ON）
（最大8mΩ ） @V
GS
=10V
■
超低栅极电荷（ Typical133nC ）
■
快速开关能力
■
100％的雪崩测试
■
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， DMOS技术。这项最新技术有
beenespecially旨在最大限度地减少通态电阻，已
一个lowgate负责与出色的开关性能，并
ruggedavalanche characteristics.This功率MOSFET是很好
适合用于同步DC -DC转换器和电源
管理inportable和电池供电产品。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
1.3
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note1)
(Note3)
(Note1)
80
390
±20
20
5.0
200
A
A
V
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
50
110
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.75
-
62
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Jun.2011
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
