WFP50N06 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFP50N06
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 591 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFP50N06

WFP50N0

硅N沟道MOSFET

CHA

OSF

特点

■

DS （ ON）

（最大22MΩ ） @V

=10V

■

超低栅极电荷（典型值31nC ）

■

快速开关能力

■

100％的雪崩测试

■

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi的海沟生产布局

基于

过程。这

技术

mproves演出

相比

动力

与标准件形成各种sources.All这些

设计

为

在开关应用

MOSFET的

监管机构，

DRIVERS

为

开关

变流器，电机和继电器驱动器，并

高功率双极开关晶体管苛刻

高速和低栅极驱动电源。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

通道温度

1.3

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

200

± 25

480

5.8

130

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

单位

热特性

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结-to -Case

案件到水槽，平面，脂表面

热阻，结到 - 环境

价值

民

典型值

0.5

最大

0.96

62.5

单位

℃/W

Rev.A的Jun.2011

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