WFP70N06
硅N沟道MOSFET
LIC
CHA
OSF
特点
■
70A ， 60V ， RDS(on)(Max0.014Ω)@VGS=10V
■
超低栅极电荷（典型值70nC ）
■
低的Crss （典型值160pF ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
■
最高结温范围（ 175 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的平面生产
条纹， DMOS technology.This最新的技术已经特别
旨在最大限度地减少通态电阻，具有低栅极电荷
与出色的开关性能和坚固耐用的雪崩
特点， DC-DC转换器和
portableand ，电池operatedproducts 。
动力
管理
in
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
1/8表格案例5秒
结温和存储温度
最大无铅焊接温度的目的，
300
1.05
-55~175
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note3)
(Note1)
51
280
±25
800
7.0
158
A
A
V
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
60
70
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.95
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Jun.2011
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
