WFP70N06T
P70N
硅N沟道MOSFET
特点
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68A ， 60V ，R
DS （ ON）
(Max18mΩ)@V
GS
=10V
超低栅极电荷（典型值20nC ）
改进的dv / dt能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 175 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产
条纹， DMOS technology.This最新的技术已经特别
旨在最大限度地减少通态电阻，具有低栅极电荷
与出色的开关性能和坚固耐用的雪崩
特点， DC-DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
1/8表格案例5秒
结温和存储温度
最大无铅焊接温度的目的，
300
0.77
-55~175
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note3)
(Note1)
51
280
±25
800
7.0
115
A
A
V
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
60
68
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
1.3
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的2010年10月
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
