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型号: WFSA5510
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内容描述: N沟道和P沟道MOSFET的硅 [N- Channel and P-Channel Silicon MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 492 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WFSA5510
N沟道和P沟道MOSFET的硅
特点
低导通电阻。
复合型与N型沟道MOSFET和一个
P沟道MOSFET在4.5V / -4.5V驾驶
包含在单个封装中的电源电压。
高密度安装。
齐纳保护
符合RoHS 。
SOP-8
应用
超高速交换,
电机驱动应用
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
PW≤10uS ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷基板
(1000mm
2
× 0.8毫米) 1台
安装
on
a
陶瓷的
评级
N沟道
100
+20
2
8
1.3
P沟道
-100
+20
-2
-8
单位
V
V
A
A
W
W
总功耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
(1000mm
2
×0.8mm)
最高结温
存储温度范围
1.7
150
-55~+150
0
0
C
C
Rev.A的Feb.2012
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