WFU5N50
5N50
硅N沟道MOSFET
LIC
特点
■ 5A ， 500V ， RDS （ ON） （ Max1.6Ω ） @ VGS = 10V
■超低栅极电荷（典型值32nC ）
•快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 150 ℃ ）
概述
次是电力MO SFET是亲杜CED USI NG赢得é英里的广告车土木工程署
玻璃体ř条纹， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
吕格ð雪崩甜心克拉呃istics 。该设备是SPE cially好
适用于高效率开关模式电源，功率因数
校正和半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器。
IPAK
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
0.49
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
(Note1)
2.9
18
±30
300
7.5
4.5
61
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数ETE ř
TER
价值
ALUE
500
5
加利我TS
V
A
通道
温度
热特性
价值
ALUE
SYMB OL
R
QJC
R
QCS
R
qJA
PARA M ETER
ETE
民
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
-
-
-
典型值
-
0.5
-
米斧
2.05
-
62.5
℃/W
℃/W
℃/W
ü尼特
NIT
Rev.A的Jun.2010
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
