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WFW18N50 参数 Datasheet PDF下载

WFW18N50图片预览
型号: WFW18N50
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内容描述: 硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 323 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WFW18N50
电气特性
(Tc=25℃)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极( "miller" )充电
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
tf
花花公子
Qg
QGS
QGD
测试条件
V
GS
=±25V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ,V
DS
=0V
V
DS
=500V,V
GS
=0V
I
D
= 10 mA时, V
GS
=0V
I
D
=250µA,Referenced
至25 ℃
V
DS
=10V,I
D
=250µA
V
GS
=10V,I
D
=9A
V
DS
=40V,I
D
=9A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=250V,
I
D
=18A
R
G
=25Ω
(Note4,5)
V
DD
=400V,
V
GS
=10V,
I
D
=18A
(Note4,5)
-
±30
-
500
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
0.5
-
0.27
16
2530
11
300
40
150
95
110
42
12
14
最大
±10
-
100
-
-
5
0.40
-
3290
14.3
390
90
310
200
230
55
-
-
单位
nA
V
µA
V
V/℃
V
S
pF
ns
nC
源极 - 漏极额定值和特性
(Ta=25℃)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=18A,V
GS
=0V
I
DR
=18A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
1.6
20
最大
18
80
-1.9
-
-
单位
A
A
V
ns
µC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L = 1.83mH我
AS
=18A,V
DD
=50V,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤18A,di/dt≤200A/us,V
DD
<BV
DSS
,起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定,全方位为您提前