WFW18N50W
硅N沟道MOSFET
特点
■
18A,500V,R
DS （ ON）
(Max0.27Ω)@V
GS
=10V
■
超低栅极电荷（典型值42nC ）
■
快速开关能力
■
100％的雪崩测试
■
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产
条纹， VDMOS technology.this最新的技术已经特别
旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的坚固
雪崩特性。这种装置是专门为wellsuited
AC- DC开关电源， DC-DC电源转换器的高
电压H桥电机驱动的PWM
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
结温和存储温度
通道温度
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
12.7
80
±30
330
27.7
4.5
280
-55~150
300
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
℃
℃
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
500
18
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.24
-
最大
0.45
-
40
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
