WFY03DN50
500V N沟道耗尽型DMOSFET
500V
特点
■
30毫安， 500V ，R
DS （ ON）
(Max750Ω)@V
GS
=0,I
D
=3.0mA
■
无二次击穿
■
低功耗驱动要求
■
积分源极 - 漏极二极管
■
易于并联的
■
优良的热稳定性
■
高输入阻抗和低C
国际空间站
概述
该WFY03DN50是一个高电压N沟道耗尽
模式（常开）晶体管采用Winsemi的横向DMOS
技术。
该WFY03DN50非常适合在高电压应用
常通开关，恒流精度的领域
消息人士透露，电压斜坡产生和放大器阳离子。
G
S
D
SOT-23
绝对最大额定值
(
TC = 25℃除非另有说明）
符号
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流（注1 ）
Tc=75℃
漏电流脉冲
总功耗
栅极至源极电压
峰值二极管恢复电压上升率
结温
储存温度
最大的铅焊接温度的目的
24
120
0.5
±20
5
150
-55~150
300
℃
mA
W
V
V / ns的
℃
参数
价值
500
30
单位
V
mA
最大额定值是那些价值超过该设备损坏可以施加到器件occur.Maximum评级是个人压力
限制值（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作
没有可能出现暗示，损害和可靠性可能会受到影响。
热特性
符号
R
qJA
R
QJC
参数
热阻，结到环境（注2 ）
热阻，结到外壳（注2 ）
价值
民
-
典型值
-
最大
250
200
单位
℃/W
℃/W
注1 ：
I
D
（续）由最大额定限制TJ
.
注2 ：安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米
版本A / 0 Mar.2012
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T22-1
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
