WTN1A60
逻辑电平
双向晶闸管
irecti
TRIO
RIST
申通快递
特点
EAT
■
重复峰值断态电压： 600V
■
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
=0.9A
■
低通态电压： V
TM
= 1.2 （典型值） @我
TM
■
低反向和正向阻断电流：
I
DRM
■
低保持电流：我
H
= 4毫安（典型值）。
■
高换向的dV / dt 。
概述
escri蒂奥
愿（死者）安息
通用开关和相位控制应用。
这些装置的目的是要直接连接向微型
控制器，逻辑集成电路和其它低功率门
触发电路，诸如风扇速度和温度调节
控制，照明控制和静态开关继电器。
绝对最大额定值
(T
J
= 25 ℃除非另有规定）
IMU
ING
符号
V
DRM
T
（ RMS）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
的di / dt
I
FGM
V
RGM
T
J,
T
英镑
参数
阿梅德
重复峰值正向阻断电压（门打开）
正向电流有效值（所有的导通角，T
L
=50℃)
峰值正向浪涌电流， （全循环，正弦波， 50/60赫兹）
电路熔断思考（ TP = 10毫秒）
峰值门电力 - 前进， （ TC = 58 ° C，脉冲with≤1.0us ）
平均门电力 - 前进， （在任何20毫秒期）
通态电流临界上升率
T
J
=125℃
I
TM
= 1.5A ;我
G
= 200毫安;的dI
G
/ DT = 200毫安/微秒
栅极峰值电流 - 前进， TJ = 125°C （ 20微秒， 120 ，PPS）
峰值栅极电压 - 反向， TJ = 125°C （ 20微秒， 120 ，PPS）
结温
储存温度
块
（注1 ）
价值
600
0.9
9.1/10
0.41
5
0.1
50
0.5
6
-40~125
-40~150
2
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A / μs的
A
V
℃
℃
g
注1 ：
。虽然不建议，断态电压高达800V ，可以不破坏应用，但TRIAC可能
注1 ：
切换到接通状态。电流上升率应不超过3A /我们。
热特性
rmal查法里斯
符号
R
QJC
R
qJA
参数
阿梅德
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
民
-
-
价值
典型值
典型值
-
-
最大
最大
60
120
单位
℃/W
℃/W
版本A 2011年7月
版权所有@ WinSemi有限公司保留所有权利。
T01-3
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
