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WFF2N60 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WFF2N60
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内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 715 K
品牌: WISDOM [ WISDOM TECHNOLOGIES INT`L ]
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智慧
半导体
WFF2N60
N沟道MOSFET
特点
R
DS ( ON)
(最大5.0
)@V
GS
=10V
栅极电荷(典型9.5nC )
改进的dv / dt能力,高耐用性
100%的雪崩测试
最高结温范围( 150 ° C)
符号
2.漏
1.门
3.源
概述
这是功率MOSFET采用智慧先进的生产
平面条形, DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。这些器件非常适合
高效率开关模式电源,有源功率因数
基于半桥拓扑结构校正,电子镇流器。
TO-220F
1
2
3
绝对最大额定值
(
*
漏电流受结温)
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑,
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流( @T
C
= 25
°C)
连续漏电流( @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的,
1/8案件从5秒。
(注2 )
(注1 )
(注3)
(注1 )
参数
价值
600
2.0*
1.3*
6.0*
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
±
30
120
5.4
4.5
23
0.18
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
价值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
5.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
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