WFF4N65 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFF4N65
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内容描述：	[群方电子有限公司，我公司代理经销商FAIRCHTLD(仙童)，万裕，威士顿，EVERLTGHT,UTC,ON,IR,TI,MPS等品牌的元器件IC,热忱为广大生产商提供服务，欢迎前来洽谈订购！联系人：乌小姐 TEL: 0755-23051325 QQ: 2355819029 陈小姐 TEL: 0755-28197007 QQ: 2355819022 赖小姐 TEL: 0755-83722630 QQ: 2355819025 张先生 TEL: 0755-23574585 QQ: 2355819014 FAX:0755-28199449 邮箱：2355819029@qq.com 公司网址：http://qunfangdianzi3.ic37.com/ 公司地址：深圳市福田区中航路国利大厦A座1008室 ]
分类和应用：	电子
文件页数/大小：	6 页 / 740 K
品牌：	WISDOM [ WISDOM TECHNOLOGIES INT`L ]

智慧

半导体

WFF4N65

N沟道MOSFET

特点

■

DS （ ON）

（最大2.7

Ω

)@V

=10V

栅极电荷（典型值15nC ）

改进的dv / dt能力，高耐用性

100％的雪崩测试

最高结温范围（ 150 ° C）

符号

●

2.漏

1.门

◀

●

▲

3.源

概述

这是功率MOSFET采用智慧先进的生产

平面条形， DMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。这些器件非常适合

高效率开关模式电源，有源功率因数

基于半桥拓扑结构校正，电子镇流器。

TO-220F

绝对最大额定值

(

漏电流受结温）

符号

DSS

dv / dt的

英镑，

漏源极电压

连续漏电流（ @T

= 25

°C)

连续漏电流（ @T

= 100

°C)

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @T

= 25 °C)

高于25 ℃的降额因子

工作结温&储藏温度

最大无铅焊接温度的目的，

1/8案件从5秒。

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

（注1 ）

参数

价值

650

4.0*

2.5*

16*

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

240

4.5

0.26

- 55 ~ 150

300

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.79

62.5

单位

° C / W

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