AH212
产品特点
1800
–
2400兆赫
26分贝增益
+30 dBm的P1dB为
+46 dBm的输出IP3
+ 5V单正电源
内部有源偏置
通信EDGE
TM
产品信息
1瓦高线性度，高增益的InGaP HBT放大器
产品说明
将AH212是高动态范围的双级驱动
放大器中的一个低成本表面安装封装。该
的InGaP /砷化镓HBT能够实现卓越的性能
通过多达各种窄带调谐电路的应用
为压缩1 dB的46 dBm的OIP3和+30 dBm的
力。该放大器提供业界标准
SMT无铅/绿色环保/ RoHS指令的SOIC - 8或4x5mm
DFN封装。所有器件100 ％的RF和DC测试。
工作原理图
Vcc1
1
8
N / C
Vbias1
2
7
VCC2 / RF输出
6
VCC2 / RF输出
在RF
3
Vbias2
4
5
N / C
AH212-S8G
Vbias1
1
12 VCC1
N / C
2
11 N / C
在RF
3
10 ，电源Vcc2 / RF输出
N / C
4
N / C
5
Vbias2
6
9
VCC2 / RF输出
8
N / C
7
N / C
无铅/绿色/符合RoHS标准
该产品是有针对性的，用作线性驱动放大器
SOIC - 8 & 4x5mm DFN封装
各种当前和下一代无线技术
应用
移动基础设施
无线宽带基础设施
TD-SCDMA的
如GPRS， GSM，CDMA， W-CDMA， TD-SCDMA
和WiBro的，需要高线性度，高功率
所需。内部有源偏置使AH212到
保持高线性度随温度和操作
直接从+5 V电源供电。
AH212-EG
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
W- CDMA信道功率
@ -45 dBc的ACLR
典型性能
(1)
单位最小值
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
DBM
mA
mA
mA
V
340
1800
22.2
2140
25
25
9
+29.5
+46
6.0
+21
400
85
315
5
500
典型值
最大
2400
参数
频率
收益
(3)
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
(3)
输出IP3
IS- 95A信道功率
@ -45 dBc的ACPR
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
典型
1960
25.8
15
11
+30
+48.5
+23.5
+21
5.5
6.0
+ 5V @ 400毫安
2140
25
25
9
+29.5
+46
+29
+43.5
W- CDMA信道功率
@ -45 dBc的ACLR
工作电流范围，国际商会
阶段1安培的电流， ICC1
第2阶段安培电流， ICC2
器件电压， Vcc的
噪声系数
供应偏置
3.业绩显示为AH212 - S8G （ SOIC - 8封装） ，在25℃ 。该AH212 - EG中的一个4x5
毫米DFN封装，提供约0.5分贝更大的增益和0.5 dB的P1dB的。
1.试验条件下，除非另有说明： 25
ºC ， + 5V ，在调整应用电路。
2.测量3OIP两个音在+15 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
RF输入功率（连续）
器件电压
器件的电流
设备电源
结温
订购信息
产品型号
AH212-S8G
AH212-EG
AH212-S8PCB1960
AH212-S8PCB2140
AH212-EPCB1960
AH212-EPCB2140
等级
-40至+85
C
-65到+150
C
+26 dBm的
+7 V
900毫安
5W
+250
ºC
描述
1瓦，高增益的InGaP HBT放大器
（无铅/绿色环保/ RoHS指令的SOIC -8封装）
1瓦，高增益的InGaP HBT放大器
（无铅/绿色/符合RoHS标准的12引脚4x5mm DFN封装）
1960年兆赫评估板
2140兆赫评估板
1960年兆赫评估板
2140兆赫评估板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
第1页12 2006年8月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
