ECG001F
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= + 5V ，R
BIAS
= 51
Ω
, I
cc
= 30毫安
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
22.8
-48
-34
+11.6
+23.6
3.4
500
22.6
-46
-29
+11.6
+23.5
3.4
900
22.4
-42
-24
+12.6
+24.8
3.4
1900
20.9
-35
-18
+12.6
+26
3.4
2140
20.6
-29
-17
+12.6
+25.6
3.4
2400
20.2
-28
-16
+12.8
+25.4
3.4
3500
18.6
-22
-13
+12.2
+23
5800
15.5
-14
-8
+11
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= + 5V ，器件电压= 3.4 V， Rbias两端= 51
Ω,
ICC = 30 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在-1 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
回波损耗
G A IN（分贝）
24
ICC与VDE
100
80
ICC （MA ）
S11
S22
60
40
20
0
0
D B （ | S （2， 1）| ）
22
-10
S11 ，S22 （ dB）的
0
1
2
3
˚F Characteristic低频（G ^ h Z）
4
5
6
˚F Characteristic低频
20
-20
-30
-40
18
16
14
0
1
2
3
4
5
6
3.2
3.3
频率（GHz ）
OIP3与频率的关系
28
26
OIP3 （ dBm的）
24
22
+25C
20
500
1000
-40C
+85C
0
NF（ dB）的
5
4
3
2
1
3.4
VDE （ V）
3.5
3.6
噪声系数与频率的关系
18
16
P1dB的（ DBM）
14
12
10
8
的P1dB与频率的关系
+25C
50 0
10 00
15 00
20 00
频率（MHz）
25 00
30 00
-40C
+85C
2500
3000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
6
500
1000
1500
2000
频率（MHz）
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第5 2 2007年4月
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