FH1
高动态范围FET
参考设计： 790 MHz的19 dB增益
频率
收益
S11
S22
P1dB
OIP3
噪声系数
电源电压
电源电流
GHz的
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
746
19.2
-20
-22
790
19.4
-28
-23
+22
+41
2.3
+5
140
+5V
ID=C4
C = pF的1E4
ID=C6
C = 100 pF的
ID=R7
R = 560欧姆
ID=C3
C = 100 pF的
18.5
18
17.5
17
0.7
0.75
0.8
频率（GHz ）
0.85
0.9
-15
-20
-25
-30
ID=R6
R = 560欧姆
ID=C1
C = 100 pF的
1
NET="FH1"
2
ID=L1
L = 27 nH的
ID=R1
L = 8.2 nH的
ID=C5
L = 10 nH的
ID=R2
L = 2.2 nH的
ID=C2
C = 100 pF的
注意事项：
1.
电路板材料： 0.0
＃ 'ÃBr ?? rxÃHG ！?? 9TTÃ ？ ?? A2A ＃ ？ ！ ?? - 答Ã????Ãp??????r???ÃÃUurÃ??hv??Ã??vp??????????v??Ãyv??rÃuh??ÃhÃyv??rÃv????rqh??prÃ??sÃ$?Ã ？
2.
在示意图中未示出的组件要么不使用或装载有通。增益电路可以稍微与反馈电阻的变形进行调节。
参考设计： 790 MHz的17 dB增益
频率
收益
S11
S22
P1dB
OIP3
噪声系数
电压
当前
GHz的
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
746
17.3
-19
-22
790
17.4
-19
-22
+22
+41
2.1
+5
140
835
17.4
-16
-21
增益/回波损耗
19
0
噪声系数与频率的关系
4
25 °C
50 °C
90 °C
DB（ | S （1,1） | ） （R）的
18
DB（ | S （2,1） | ） （L）的
DB（ | S （2,2） | ） （R）的
-5
S11中，S22 （ dB）的
3
NF（ dB）的
摹AIN （分贝）
17
-10
2
1
0
740
16
-15
2.0
2.2
15
-20
14
0.7
+5V
-25
0.75
ID=C4
C = 10000 pF的
760
780
800
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
835
19.3
-15
-22
增益/回波损耗
20
19.5
19
DB（ | S （2,1） | ） （L）的
DB（ | S （1,1） | ） （R）的
DB（ | S （2,2） | ） （R）的
0
-5
-10
820
840
0.8
频率（GHz ）
0.85
0.9
频率（MHz）
ID=C6
ID=R7
C = 100 pF的R = 360欧姆
ID=R6
R = 360欧姆
NET="FH1"
2
ID=C3
C = 100 pF的
ID=L1
L = 33 nH的
ID=C2
C = 100 pF的
1
ID=C1
C = 100 pF的
ID=R1
L = 12 nH的
ID=C5
R = 10000欧姆
注意事项：
1.
电路板材料： 0.0
＃ 'ÃBr ?? rxÃHG ！?? 9TTÃ ？ ?? A2A ＃ ？ ！ ?? - 答Ã????Ãp??????r???ÃÃUurÃ??hv??Ã??vp??????????v??Ãyv??rÃuh??ÃhÃyv??rÃv????rqh??prÃ??sÃ$?Ã ？
2.
在示意图中未示出的组件要么不使用或装载有通。增益电路可以稍微与反馈电阻的变形进行调节。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
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第7 5 2007年4月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
