高动态范围FET混频器
HMJ1
通信EDGE
™
产品信息
产品特点
•
+39 dBm的IIP3
•
无需外部匹配元件
•
•
•
•
•
•
产品说明
该HMJ1是一种高动态范围，砷化镓
FET混频器。这种有源FET实现了典型
+39 dBm的在加州三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ1
采用的是低成本， J引线封装。典型
应用包括频率上/下
转换，调制和解调
在蜂窝中使用的接收器和发射器
通信系统。
工作原理图
需要
RF 750-1000兆赫
LO 680-980兆赫
IF 20-100兆赫
+17 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置（23 mA）的
低成本表面贴装J引线
包
特定网络阳离子
参数
频率范围：
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离：
LO-RF
LO -IF
RF- IF
IIP3
回波损耗：
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
750
680
20
7.7
9.2
20
30
33
29
40
24
39
8
13
19
23
17
23
1000
980
100
9.3
单位
最低
典型
最大
条件
RF = 900兆赫（为0dBm ）
35
试验条件下，除非另有说明：RF = 900兆赫（ -10 dBm的） ，劳= 830兆赫（17 dBm的） ， IF = 70兆赫和25 ℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ1
HMJ1-PCB
描述
高动态范围FET
（可在磁带和卷轴）z
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
WJ通讯公司
•电话： 1-800 - WJ1-4401 •传真： 408-577-6620 •电子邮件： sales@wj.com•网站： www.wj.com
2004年2月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
