高动态范围FET混频器
HMJ4
通信EDGE
™
产品特点
•
+36 dBm的IIP3
•
无需外部匹配元件
•
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•
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•
产品说明
该HMJ4是一种高动态范围，砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
的+36 dBm的以三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ4来
在一个低成本， J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频，
调制和解调的接收机和
在通信系统中使用的发射机。
工作原理图
18 17 16 15 14 13 12 11 10
需要
RF一七零零年至1880年兆赫
LO 1550至1830年兆赫
IF 50-150兆赫
+17 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置（18 mA）的
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
10
IF
2
LO
11
地
3-7
地面12-16
+ 3V直流
8
RF
17
地
9
地
18
特定网络阳离子
参数
频率范围：
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离：
LO-RF
LO -IF
RF- IF
IIP3
回波损耗：
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
1700
1550
50
8.8
11
18
23
31
34
33
14
36
11
9
15
23
17
18
典型
最大
1880
1830
150
9.4
条件
RF = 1800兆赫（为0dBm ）
30
试验条件除非另有说明： RF = 1800兆赫（ -10 dBm的） ， LO = 1700兆赫（ 17 dBm的） ， IF = 100 MHz和25℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ4
HMJ4-PCB
描述
高动态范围FET混频器
（可在磁带和卷轴）
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
WJ通讯公司
•电话： 1-800 - WJ1-4401 •传真： 408-433-5649 •电子邮件： sales@wj.com•网站： www.wj.com
2000年9月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
