高动态范围FET混频器
HMJ8
产品特点
x
+37 dBm的IIP3
x
无需外部匹配
所需的元素
产品说明
该HMJ8是高动态范围的GaAs FET的混频器。
这种有源FET混频器实现了一个典型的三阶
的+37 dBm的在18的LO驱动电平截点
dBm的。该HMJ8是在一个低成本， 18针J形引线
封装。典型的应用包括频率上/下
转换，调制和解调的接收机
及用于在通信系统中的发射机。
工作原理图
x
RF 2200至2300年兆赫
x
LO 2060至2160年兆赫
x
IF 50 - 150兆赫
x
+18 dBm的LO驱动电平
x
+ 3V的偏置（22 mA）的
x
低成本表面贴装J引线封装
功能
IF
LO
RF
+3V
地
PIN号
2
11
17
8
所有其他引脚
特定网络阳离子
(1)
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
SSB变频损耗
噪声系数
LO-RF隔离
LO- IF隔离
RF- IF隔离
输入IP3
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
民
典型值
2200 – 2300
2060 – 2160
50 – 150
8.0
10.5
27
30
15
37
11
8.5
14
+23
+18
22
最大
条件
9.0
22
20
32
35
1.测试条件除非另有说明： 25 ºC ， RF = 2250 MHz的@ -10 dBm时， LO = 2110 MHz的@ +18 dBm时， IF = 140 MHz的
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
-40至+85
qC
-65到+100
qC
+25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ8
HMJ8-PCB
等级
描述
高动态范围FET混频器
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
x
电话1-800- WJ1-4401
x
传真： 408-577-6621
x
电子信箱： sales@wj.com
x
网站： www.wj.com
第1页3 2007年5月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
