MH205A
产品特点
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•
+35 dBm的输入IP3
7分贝变频损耗
RF ： 800 - 960兆赫
LO ： 700 - 890兆赫
如果：
70 - 120兆赫
+17 dBm的驱动电平
无铅/符合RoHS标准/
绿色SOIC -8封装
•
无需外部要求的偏置
高线性度蜂窝频段MMIC混频器
产品说明
该MH205A是一种被动的GaAs MESFET混频器
提供了一种低成本的高动态范围的性能
无铅/绿色环保/ RoHS指令的SOIC -8封装。
WJ的
MH205A采用专利技术来实现+35 dBm的
输入IP3为17 dBm的LO驱动电平，并且可以用
用于上变频或下变频低端LO
应用程序。这种单一的单片集成电路做
不需要任何外部平衡 - 不平衡变换器或偏见的元素。
典型的应用包括频率上/下
转换，调制和解调的接收机和
在2.5G和3G GSM / CDMA / WCDMA中使用的发射机
在蜂窝频带移动基础结构。
工作原理图
MH205A
1
2
3
4
8
7
6
5
应用
•
2.5G和3G GSM / CDMA /
WCDMA移动基础设施
功能
LO
IF & RF
*
GND
N / C或GND
PIN号
2
7
1, 3, 4, 6, 8
5
*外部元件（电感电容& ）
需要双工信号
特定网络阳离子
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
SSB变频损耗
噪声系数
输入IP3
输入P1dB为
LO - RF隔离
LO - IF隔离
RF - IF隔离
回波损耗： RF端口
回波损耗： IF端口
回波损耗： LO端口
LO驱动电平
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
民
典型值
800 – 960
700 – 890
70 – 120
7
7.5
+35
+18
37
55
15
15
16
11
+17
最大
评论
9.5
+28
30
47
见注1
见注2
见注1和3
见注4
见注4
1.试验条件下，除非另有说明： RF / IF =七十○分之八百〇三和七十○分之九百六十三与低端LO在+ 17dBm的在一个下变频应用在25℃ 。
应用电路上示出的双工器中使用的测试夹具。
2.假设LO注入噪声过滤的热噪声基底， -174 dBm / Hz表示，在RF ，IF和图像频率。
3. IIP3的测量条件
∆f
= 1 MHz的RFIN = 0 dBm的/音。
4.回波损耗是这样会将射频双工器后和IF从混合器中的信号进行测量。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
LO功率
输入IF / RF功率
等级
-40至+85
°C
-65至+100°C
+21 dBm的
+20 dBm的
订购信息
产品型号
MH205A-G
MH205A-PCB
描述
高动态范围蜂窝波段MMIC混频器
（无铅/绿色环保/ RoHS指令的SOIC -8封装）
完全组装搅拌机应用板
规格和信息如有变更，恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
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第1页4 2007年5月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
