ML501
产品特点
•
高动态范围混频器
集成的LO驱动器
•
+30 dBm的输入IP3
•
8分贝变频损耗
•
RF ：一九零零年至2700年兆赫
•
LO ： 1600至2500年兆赫
•
IF ： 50 - 500兆赫
•
为0dBm驱动电平
•
符合RoHS指令的SOIC- 8 PKG
通信EDGE
TM
产品信息
1.9-2.7 GHz高IP3混频器，集成LO放大器
产品说明
该ML501高线性度上变频或下变频
结合了被动的GaAs MESFET混频器与
HBT集成LO驱动器的低成本铅
免费/绿色/符合RoHS标准的SOIC -8封装。
WJ的
ML501采用专利技术来实现+30 dBm的输入
IP3与使用为0的LO驱动电平8分贝转换损耗
dBm的在变频应用。片上
双工器中的混频器可用于RF上良好匹配
和IF端口。在双级LO驱动器提供了一个稳定的
输入功率电平为混合器，以便获得一致的
性能在宽范围内的LO功率电平的。
典型的应用包括频率上/下
转换，调制和解调的接收机和
在2.5G和3G GSM / CDMA / WCDMA中使用的发射机
系统在PCS ，或UMTS频带。他们可以
也可用于无线宽带/ WiLAN / WiMAX基础设施
要求高线性频率变换。
工作原理图
LO
1
8
RF
7
GND
6
GND
5
IF
背面桨是地面。
GND
2
Vcc1
3
Vcc2
4
应用
•
2.5 / 3G GSM / CDMA / WCDMA
•
PCS / UMTS频段手机
基础设施
•
的WiBro / WiLAN / WiMAX的
特定网络阳离子
(1)
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
SSB变频损耗
输入IP3
(2)
输入P1dB为
LO - RF隔离
(3)
LO - IF隔离
(3)
RF - IF隔离
回波损耗： RF端口
回波损耗： IF端口
回波损耗： LO端口
LO驱动电平
电源电压
工作电流
(4)
1.
2.
3.
4.
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
V
mA
民
典型值
1900 – 2200
1600 – 2150
50 – 300
8
+30
+21
9
27
20
16
20
15
0
+5
110
最大
民
典型值
2200 – 2400
1900 – 2350
50 – 300
8.1
+30
+20
8
27
21
17
20
12
0
+5
120
最大
民
典型值
2400 – 2700
1900 – 2500
200 – 500
8.4
+28
+20
7
25
21
17
20
11
0
+5
130
最大
9
+28
-2.5
85
2.5
135
-2.5
2.5
-2.5
2.5
最小/最大极限进行测试，以便在混合器中下变频应用与低端LO在0 dBm的在25℃下用RF / IF = 1900至1950年，五十○分之二千二百和三百分之一千九百兆赫。
的IIP3的测量条件
Δf
= 1 MHz的RFIN = 0 dBm的/音。
LO注入以0 dBm的。
这是指根据LO驱动的工作电流。电流可通过增加R2的电阻值稍稍降低。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
LO功率
输入IF / RF功率
-40至+85
°C
-55至+150°C
+5.5 V
+10 dBm的
+20 dBm的
等级
订购信息
产品型号
ML501-G
ML501-PCB
描述
1.9-2.7 GHz高IP3混频器瓦特/集成LO放大器
（无铅/绿色环保/ RoHS指令的SOIC -8封装）
完整组装的评估板
规格和信息如有变更，恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
WJ通信公司
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第1页4 2006年6月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
