WTE
功率半导体
SB120 - SB1100
Pb
1.0A肖特基二极管
特点
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
!
高电流能力
A
B
!
低功耗，高效率
!
高浪涌电流能力
!
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
D
A
C
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例： DO - 41 ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量：0.55克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
DO-41
暗淡
民
最大
25.4
—
A
4.06
5.21
B
0.71
0.864
C
2.00
2.72
D
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SB120 SB130 SB140
20
14
30
21
40
28
SB150 SB160
50
35
1.0
60
42
SB180 SB1100
80
56
100
70
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJL
R
θJA
T
j
, T
英镑
110
0.50
40
0.70
0.5
10
80
15
50
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1。有效的规定，引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB120 - SB1100
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