WTE
功率半导体
SB2020FCT - SB20100FCT
Pb
20A双肖特基整流器
特点
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!
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肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低正向压降
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O
D
F
P
I
H
L
B
ITO-220
暗淡
民
最大
14.60
15.40
A
9.70
10.30
B
2.55
2.85
C
3.56
4.16
D
13.00
13.80
E
0.30
0.90
F
3.00 Ø
3.50 Ø
G
6.30
6.90
H
4.20
4.80
I
2.50
2.90
J
0.36
0.80
K
2.90
3.30
L
2.29
2.79
P
尺寸：mm
A
PIN1
2
3
机械数据
!
!
!
!
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案例： ITO - 220 ，全模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
安装扭矩：11.5厘米千克（ 10磅）最大。
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
E
PIN 1 -
+
销2
J
K
PIN 3 -
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
SB
SB
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
C
= 95°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
@I
F
= 10A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
SB
SB
SB
SB
SB
SB
20100FCT
2020FCT 2030FCT 2040FCT 2045FCT 2050FCT 2060FCT 2080FCT
单位
20
14
30
21
40
28
45
32
20
50
35
60
42
80
56
100
70
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
T
j
, T
英镑
0.55
200
0.75
0.5
100
1100
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
°C
峰值反向电流
@T
A
= 25°C
在额定阻断电压DC @T
A
= 100°C
典型结电容（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB2020FCT - SB20100FCT
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