WTE
功率半导体
SF21 - SF27
Pb
2.0A超快速二极管
特点
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
A
B
A
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例： DO - 15 ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重0.40克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
D
DO-15
暗淡
民
最大
25.4
—
A
5.50
7.62
B
0.71
0.864
C
2.60
3.60
D
尺寸：mm
C
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
A
= 55°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
SF21
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SF22
100
70
SF23
150
105
SF24
200
140
2.0
SF25
300
210
SF26
400
280
SF27
600
420
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
反向恢复时间（注2 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
@I
F
= 2.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
英镑
60
0.95
50
1.3
5.0
100
35
30
-65到+125
-65到+150
1.7
A
V
µA
nS
pF
°C
°C
注意：保持在环境温度下1信息，在从所述壳体的距离9.5毫米
2.测量与IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A 。见图5 。
3.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SF21 - SF27
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