X20C04DMB-20 参数 Datasheet PDF下载

型号：	X20C04DMB-20
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内容描述：	非易失性静态RAM [Nonvolatile Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	15 页 / 69 K
品牌：	XICOR [ XICOR INC. ]

X20C04

设备操作

该

CE， OE ， WE

和

输入控制X20C04

操作。该X20C04字节宽的NOVRAM使用

2线控制架构，以消除总线争用

一个系统的环境。在I / O总线将处于高

阻抗状态时，无论

高时，或

当

是低的。

RAM OPERATIONS

RAM的读写操作，因为他们执行

将任何静态RAM 。读操作需要

和

为低电平以

和

HIGH 。写

操作要求

和

为低电平以

HIGH 。没有限制的数目的读或写

操作进行到X20C04的RAM区。

非易失性OPERATIONS

同

在同一个执行低，调用操作

方式的RAM的读操作。召回操作

使E的全部内容

将要写入的PROM

入RAM阵列。操作所需的时间

完成是5微秒或更小。一个存储操作导致

RAM阵列的全部内容将被存储在

非易失性ê

舞会。的时间以使操作

完全为5ms以下。

电设置

上电时（V

），则X20C04执行一个自动

马蒂奇阵列召回。当V

达到最小值，则

召回开始，无论状态

CE， OE ， WE

和

NE 。

写保护

该X20C04已写保护功能，有五个

用于保护这两个非易失性的内容

存储器和RAM 。

• V

某种意义上，所有的功能被抑制时， V

≤

3.5V.

•需要一个RAM写入一个存储周期之前

发起。

•写禁止控股或者

低，

高，

高，或

中电和供电HIGH

下来将防止无意中的存储操作。

•噪声保护-A组合

WE ， NE ， OE

和

脉冲小于20ns不会启动一个商店

周期。

•噪声保护-A组合

WE ， NE ， OE

和

脉冲小于20ns不会启动召回

周期。

符号表

波形

输入

必须是

稳定

可能改变

从低

到HIGH

可能改变

从高

以LOW

不在乎：

变化

允许

不适用

输出

会

稳定

将改变

从低

到HIGH

将改变

从高

以LOW

更改：

状态不

已知

中线

是高

阻抗

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