A
PPLICATION
N
OTE
A V A I L A B L E
X20C16
16K
AN56
X20C16
高速自动存储™ NOVRAM
2K ×8位
特点
描述
该Xicor公司X20C16是2K ×8 NOVRAM设有高
高速静态RAM重叠位对位具有非易失性
电可擦除PROM （E
2
PROM）以及所述
自动存储功能，它会自动保存
RAM内容到E
2
PROM在电源关闭。该X20C16
被制造与先进的CMOS浮栅技
术来实现高速，低功耗和宽
电源裕度。该X20C16有相容
IBLE JEDEC批准的引脚排列字节宽的回忆，
行业标准的RAM ， ROM， EPROM中，并
E
2
PROM中。
该NOVRAM设计允许将数据轻松传输
从RAM ferred到E
2
PROM （店）和E
2
PROM来
RAM （召回） 。这家店的操作在5毫秒完成或
越来越召回操作在10μs的完成或
减。自动数组调用操作将重新加载
电子内容
2
PROM为上电时RAM 。
Xicor公司NOVRAMS设计用于无限写
操作RAM ，无论是从主机或召回
E
2
PROM和最低百万存储操作
电子
2
舞会。数据保存期限为更大
超过100年。
•
•
•
•
•
•
•
快速存取时间： 35ns的，为45nS ， 55ns
高可靠性
-Endurance ：100万非易失性存储
操作
-retention ： 100年最低
自动存储™ NOVRAM
- 自动存储RAM数据到
E
2
PROM阵列当V
CC
低门槛
检测
- 用户已启用选项
- 开放漏极自动存储状态输出引脚
POWER- ON RECALL
—E
2
PROM数据自动调用进入
RAM在上电时
软件数据保护
-locks出无心门店运营
低功耗CMOS
-Standby ： 250
µ
A
无限ê
2
PROM阵列召回和RAM读取
和写周期
引脚配置
塑料
CERDIP
NE
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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14
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26
25
24
23
22
X20C16 21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
AS
A8
A9
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
OE
A9
A8
AS
WE
VCC
NE
NC
A7
A6
A5
3826 FHD F15.1
TSOP
A
2
A
1
A
0
N / C
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
V
SS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
10
17
18
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LCC
PLCC
VCC
WE
NC
NE
NC
SOIC
1
2
3
4
5
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X20C16
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24
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20
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15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
3826 FHD F03
X20C16
4
A6
A5
A4
A3
5
6
7
8
9
10
11
12
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
A2
A1
A0
NC
I/O0
X20C16
（ TOP VIEW ）
3826 FHD F02
3826 ILL F17.2
21
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14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
A4
A3
自动存储™ NOVRAM是Xicor公司，公司的商标。
© Xicor公司，公司1991年， 1995年， 1996年专利待定
3826-2.9 97年7月31日T4 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
AS
25
24
23
22
A7
16
15
14
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10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
NC
NE
V
CC
V
CC
WE
AS
NC
A
8
A
9
NC
OE
XICOR [ XICOR INC. ]
