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X22C10PI 参数 Datasheet PDF下载

X22C10PI图片预览
型号: X22C10PI
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内容描述: 非易失性静态RAM [Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 12 页 / 62 K
品牌: XICOR [ XICOR INC. ]
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X22C10
256位
X22C10
非易失性静态RAM
描述
64 x 4
特点
高性能CMOS
-120ns RAM访问时间
高可靠性
-store周期:100万
- 数据保存: 100年
低功耗
-active :最大40mA 。
-Standby : 100
µ
A最大。
无限阵列回想一下, RAM读写周期
非易失性存储禁止: V
CC
= 3.5V典型
完全兼容TTL和CMOS
JEDEC标准的18引脚300mil的DIP
100 %兼容于X2210
- 随着时间增强功能
该X22C10是一个64 ×4 CMOS NOVRAM设有
高速静态RAM重叠位对位与非
挥发性ê
2
舞会。该NOVRAM设计允许数据
可以很容易地从RAM传送到E
2
PROM ( STORE )
从ê
2
PROM到RAM ( RECALL ) 。这家商店
操作是在5ms内或更小,并已完成
召回是在1μs内完成。
Xicor公司NOVRAMs是专为无限的写入操作
系统蒸发散的RAM ,无论是从ê召回
2
PROM或
从主机写入。该X22C10将可靠地承受
百万STORE周期。固有的数据保存
超过100年以上。
工作原理图
引脚配置
塑料DIP
CERDIP
2
非易失性ê PROM
存储阵列
商店
A0
A1
A2
VCC
COLUMN
I / O电路
VSS
ROW
SELECT
静态RAM
存储阵列
ARRAY
召回
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
X22C10 14
13
12
11
10
VCC
NC
A5
I/O4
I/O3
I/O2
I/01
WE
召回
3815 FHD F02
商店
召回
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
控制
逻辑
输入
数据
控制
列选择
SOIC
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
3815 FHD F01
1
2
3
4
5
6
7
8
X22C10
16
15
14
13
12
11
10
9
A3
A4
A5
VCC
A5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
WE
召回
3815 FHD F08.1
CS
WE
商店
© Xicor公司,公司1991,1995专利待定
3815-2.4 96年7月26日,T0 / CO / D3 SH
1
特性如有变更,恕不另行通知