X22C12DI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	X22C12DI
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内容描述：	非易失性静态RAM [Nonvolatile Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 62 K
品牌：	XICOR [ XICOR INC. ]

X22C12

引脚说明和设备的运行

地址（A

–A

)

地址输入中选择一个4位的存储器位置

在读或写操作。

片选（ CS ）

片选输入必须为低电平，使阅读或

写的RAM阵列的操作。

HIGH意志的地方

在I / O引脚处于高阻抗状态。

写使能（ WE）

写使能输入控制I / O缓冲区，阻止 -

采矿RAM是否读或写操作是恩

体健。当

低并且

为高电平时， I / O引脚

将从选定的RAM地址某些地区可能输出数据

系统蒸发散。当两个

和

低，数据呈现

在I / O引脚将被写入所选地址

位置。

数据输入/输出（ I / O

-I / O

)

数据被写入或从X22C12通过读

I / O引脚。在I / O引脚被置于高阻抗

状态时，无论

为高或在任何商店或

记得操作。

商店

该

商店

投入，低的时候，会主动的转移

RAM阵列的给E的全部内容

舞会

数组。该

和

召回

输入过程中抑制

商店周期。这家店的操作在5毫秒完成

或更小。

一个存储操作的优先级高于RAM的读/写

操作。如果

商店

在读出被断言操作

化，则读操作将被中断。如果

商店

断言

一个RAM写入操作期间，写操作是被立即

ately终止和实体店进行。在数据

被写入RAM地址将是未知

同时在RAM和E

PROM阵列。

召回

该

召回

投入，低的时候，会主动转移

的E的全部内容

PROM阵列到RAM

数组。数据的传输将在1μs内完成或

减。

数组召回优先于RAM的读/写操作

tions和终止这两个操作时，

召回

为有效。

召回

低也会抑制

商店

输入。

自动召回

上电时的X22C12将自动召回

从E数据

PROM的阵列到RAM阵列。

写保护

该X22C12有三个写保护功能，是

用于保护非易失性的内容

内存。

• V

某种意义上，所有的功能被抑制时， V

<3.5V典型。

•写禁止控股或者

商店

高或

召回

在上电或掉电不会低

防止无意的存储操作和E

舞会

数据的完整性将会保持。

•噪声保护-A

商店

脉冲通常小于

超过20ns的不会启动存储周期。

引脚名称

符号

–A

I / O

-I / O

召回

商店

描述

地址输入

数据输入/输出

写使能

芯片选择

召回

商店

+5V

地

无连接

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