X2804C
4K
X2804C
5伏，字节可变ê
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舞会
描述
512 ×8位
特点
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为90ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
高性能先进的NMOS技术
快速写周期时间
-16字节页写操作
- 字节或页写入周期： 5ms的典型
-complete存储器重写： 640ms典型
- 有效字节写周期时间： 300
µ
s
典型
数据
轮询
- 允许用户以最小化写周期时间
JEDEC批准字节宽引脚
高可靠性
-Endurance ： 10,000次
- 数据保存： 100年
该Xicor公司X2804C是512× 7 E
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PROM ，与制造
一种先进的高性能N型沟道的浮动栅
MOS技术。像所有的Xicor公司的可编程nonvola-
瓷砖记忆它是一个5V的唯一设备。该X2804C
采用了JEDEC核准的引脚排列字节宽
回忆，与行业标准兼容的RAM ，
ROM和EPROM中。
该X2804C支持16字节页写操作，
通常提供300μS /字节写周期，使
整个存储要被写入小于640ms 。该
X2804C还具有
数据
投票，系统软件
支持计划用于指示早日完成
一个写周期。
Xicor公司ê
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PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新
张力大于100年。
引脚配置
塑料DIP
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
X2804C
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
NC
WE
OE
NC
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
6612 FHD F02.1
© Xicor公司，公司1993年， 1995年专利待定
6612-1.3 96年3月27日T2 / C1 / D1 NS
1
特性如有变更，恕不另行通知
XICOR [ XICOR INC. ]
