X2816C
16K
X2816C
5伏,字节可变ê
2
舞会
描述
2048 ×8位
特点
•
•
•
•
•
•
•
为90ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
高性能先进的NMOS技术
快速写周期时间
-16字节页写操作
- 字节或页写入周期: 5ms的典型
-complete存储器重写: 640ms典型
- 有效字节写周期时间: 300
µ
s
典型
数据
轮询
- 允许用户以最小化写周期时间
JEDEC批准字节宽引脚
高可靠性
-Endurance : 10,000次
- 数据保存: 100年
该Xicor公司X2816C是2K ×8 ê
2
PROM ,与制造
一种先进的高性能N型沟道的浮动栅
MOS技术。像所有的Xicor公司的可编程nonvola-
瓷砖记忆它是一个5V的唯一设备。该X2816C
采用了JEDEC核准的引脚排列字节宽
回忆,与行业标准兼容的RAM ,
ROM和EPROM中。
该X2816C支持16字节页写操作,
通常提供300μS /字节写周期,使
整个存储要被写入小于640ms 。该
X2816C还具有
数据
投票,系统软件
支持计划用于指示早日完成
一个写周期。
Xicor公司ê
2
PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新
张力大于100年。
引脚配置
LCC
PLCC
VCC
WE
NC
NC
NC
塑料DIP
SOIC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
X2816C
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
3852 FHD F02.1
4
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
X2816C
13
21
14 15 16 17 18 19 20
VSS
I/O1
I/O2
NC
I/O3
I/O4
I/O5
NC
A7
25
24
23
22
3852 FHD F03
© Xicor公司, 1995年专利待定
3852-1.4 96年3月27日T2 / C3 / D5 NS
1
特性如有变更,恕不另行通知