X28HC64
64K
X28HC64
5伏，字节可变ê
2
舞会
•
•
8K ×8位
特点
•
•
•
•
•
•
55ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-40 mA的工作电流最大。
—200
µ
待机电流最大。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期： 2ms的典型
-complete存储器重写： 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间： 32
µ
š典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance ： 100,000次
- 数据保存： 100年
JEDEC批准字节宽引脚
描述
该X28HC64是8K ×8 ê
2
PROM ，与制造
Xicor公司专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28HC64是5V唯一设备。该
X28HC64采用了JEDEC核准的引脚排列针对字节
宽回忆，与行业标准兼容的RAM 。
该X28HC64支持64字节页写操作，
有效地提供了32μs /字节写周期和使
abling被典型地写在0.25的整个存储器
秒。该X28HC64还具有
数据
投票和
触发位投票，两种方法提供早点结束
写检测。此外， X28HC64包括一
用户可选软件的数据保护方式，进一步
增强Xicor公司的硬件写保护功能。
Xicor公司ê
2
PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新
张力大于100年。
TSOP
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
NC
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A3
A4
A5
A6
A7
A12
NC
NC
VCC
NC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
销刀豆网络gurations
VCC
WE
A7
A12
NC
NC
NC
塑料DIP
扁平封装
CERDIP
SOIC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
X28HC64
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
LCC
PLCC
X28HC64
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
X28HC64
25
24
23
22
PGA
I/O1
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
12
13
15
17
18
I/O0
A0
11
10
A1
A3
A5
A2
8
A4
6
A12
2
A7
3
X28HC64
VSS
I/O4
I/O7
14
16
19
CE
20
OE
22
A10
21
A11
23
A8
25
NC
26
3857 ILL F22
10
11
12
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
9
7
3857 FHD F03
5
3857 FHD F02.1
VCC
A9
28
24
NC
1
WE
27
4
A6
3857 FHD F04
底部视图
© Xicor公司，公司1994年， 1995年， 1996年专利待定
3857-3.0 97年8月5日T1 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更，恕不另行通知
XICOR [ XICOR INC. ]
