X5643/X5645
图5.读EEPROM阵列序列
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25
26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
设置WP引脚为低电平时WPEN是“1 ”，而在
内部写周期的状态寄存器进行中
不会停止该写入操作，但操作显示
ABLES随后尝试写入到状态寄存器。
当WP为高电平时，所有的功能，包括非易失性
写到状态寄存器正常工作。环境
在状态的WPEN位为“ 0 ”块WP
引脚功能，允许写入状态寄存器时，
WP是高还是低。设置WPEN位为“1 ”，而
WP引脚为低电平激活可编程ROM
模式，从而需要在WP引脚电平变化之前
随后的状态寄存器的改变。这使得制造
facturing与WP引脚安装设备在一个系统中
接地，并且仍然能够编程的状态寄存器
之三。再制造可以装载CON组fi guration数据，
制造时间和其它参数进
EEPROM中，然后设置的存储器的部分为亲
通过设置块锁定位tected ，并应受网络设置
“ OTP模式”通过将WPEN位。数据的变化
现在需要硬件的变化。
阅读顺序
从EEPROM存储器阵列读取数据时， CS为网络RST
拉低来选择设备。 8位READ指令
被发送到该设备，然后是16位的地址。
后读的操作码和地址发送，所述数据
存储在所选择的地址的存储器数据被移出
在SO线上。在下一存储在存储器中的数据
地址可以按顺序通过连续提供读取
时钟脉冲。地址会自动递增到
每个数据字节后下一个较高地址偏移
出。当达到最高地址，这个地址
计数器计满，以解决0000美元允许读
周期继续不知疲倦网络奈特雷。读出操作是
通过拉高CS结束。参考读出的EEPROM中
排列顺序（图1） 。
读状态寄存器， CS线是连接RST拉低
选择器件随后的8位RDSR指令
化。后RDSR操作码发送的内容
状态寄存器移出SO线。请参阅
在读状态寄存器序列（图2）。
写序
之前的任何企图将数据写入到所述装置中，所述
“写使能”锁存（ WEL ）必须连接应首先通过发行集
WREN指令（图3 ） 。 CS是网络首先被拉低，
那么WREN指令被发送到器件。
毕竟8位指令的发送， CS
然后必须采取高。如果用户继续写
操作时没有拉高CS发出后，
WREN指令，写操作将被忽略。
将数据写入EEPROM存储器阵列中，用户
然后发出写指令后的16
位地址，然后将数据写入。任何
未使用的地址位是特定网络连接编为“ 0” 。该
写操作需要最少32个时钟周期。 CS必须
变低并保持低的操作的持续时间。
如果地址计数器达到一个页面的端部和
时钟下去，计数器将回滚到第一个网络
页面地址并覆盖任何数据可
已被预先写入。
REV 1.1.1 01年3月5日
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