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型号: UD0002U
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 131 K
品牌: XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
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Unitpower
N沟道增强型网络场效晶体管
产品概述
V
DSS
100V
UD0002U
版本1.0
I
D
10A
R
DS ( ON)
(m
Ω
)最大
213
@
VGS=10V
特点
超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
的TO- 252和TO- 251封装。
G
S
G
D
S
STU系列
TO - 252AA (D - PAK )
STD系列
TO - 251 ( I - PAK )
绝对最大额定值(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
d
a
极限
100
±20
T
C
=25°C
T
C
=70°C
10
8
29
11
T
C
=25°C
T
C
=70°C
50
32
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
热特性
R
JC
R
JA
热阻,结到外壳
a
a
2.5
50
° C / W
° C / W
热阻,结到环境
详细信息如有变更,恕不另行通知。
Sep,02,2010
1