Unitpower
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
电气特性（T
J
=25
中，除非另有说明）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
=15V , V
GS
= 10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=15A
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=15V , V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
•条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
分钟。
30
---
---
---
1.2
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
UD50N03
N-CH 30V的快速开关MOSFET
典型值。
---
0.0193
10
15
1.5
-3.97
---
---
---
34
1.8
9.8
4.2
3.6
4
8
31
4
940
131
109
马克斯。
---
---
12
18
2.5
---
1
5
±100
---
3.6
13.7
5.88
5.0
8.0
14
62
8
1316
183
153
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
nC
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
ns
pF
保证雪崩特性
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
•条件
V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，我
AS
=15A
分钟。
24.6
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
•条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
8.5
2.2
马克斯。
43
112
1
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
注意：
安装在一个1英寸×表面测试1.数据
2
FR- 4板2OZ铜。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=22A
4，功耗为175限制
℃
结温
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
