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    US2402 参数 Datasheet PDF下载

    US2402图片预览
    型号： US2402
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 354 K
    品牌： XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
     浏览型号US2402的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US2402的Datasheet PDF文件第3页浏览型号US2402的Datasheet PDF文件第4页浏览型号US2402的Datasheet PDF文件第5页  
    US2402
    Unitpoower
    N沟道增强型MOSFET
    D
    1.门
    2.漏
    3.源
    产品概述
    V
    （ BR ） DSS
    20V
    R
    DS （ ON）
    50m
    I
    D
    3A
    G
    S
    绝对最大额定值（T
    C
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数/测试条件
    栅源电压
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    雪崩能量
    功耗
    L = 0.1mH
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 100 °C
    1
    符号
    V
    GS
    范围
    ±16
    3
    1
    10
    4.5
    1
    0.75
    0.3
    -55到150
    单位
    V
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 100 °C
    I
    D
    I
    DM
    I
    AS
    E
    AS
    P
    D
    T
    j
    , T
    英镑
    A
    mJ
    W
    °C
    工作结&存储温度范围
    热电阻额定值
    热阻
    结到环境
    1
    符号
    R
    θJA
    典型
    最大
    166
    单位
    C / W
    脉冲宽度有限的最高结温。
    电气特性（T
    C
    = 25 ℃，除非另有说明）
    参数
    符号
    测试条件
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    漏极 - 源极导通状态
    1
    阻力
    正向跨导
    1
    1
    范围
    单位
    最小典型最大
    20
    0.4
    0.8
    1.2
    ±100
    1
    10
    10
    55
    37
    13
    85
    50
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 0V, V
    GS
    = ±16V
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 12V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125 °C
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 4.5V
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    = 1.5A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 3A
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 3A
    V
    nA
    µA
    A
    m
    S
    REV1.0
    1

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